casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1JL RUG
codice articolo del costruttore | S1JL RUG |
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Numero di parte futuro | FT-S1JL RUG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1JL RUG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1JL RUG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1JL RUG-FT |
SS36LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel