casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1AL R3G
codice articolo del costruttore | ES1AL R3G |
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Numero di parte futuro | FT-ES1AL R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1AL R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1AL R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1AL R3G-FT |
SS24LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS24LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS24LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS24LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation