casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1JFSHMXG
codice articolo del costruttore | S1JFSHMXG |
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Numero di parte futuro | FT-S1JFSHMXG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
S1JFSHMXG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-128 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-128 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1JFSHMXG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1JFSHMXG-FT |
SRAS2030HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS2040 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS2040HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS8100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS8100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS10100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS10100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAS1008G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAS1008GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAS801G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel