casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1DL RQG
codice articolo del costruttore | S1DL RQG |
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Numero di parte futuro | FT-S1DL RQG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1DL RQG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1DL RQG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1DL RQG-FT |
HS1KL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1ML RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFAL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFML RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation