casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1DL RVG
codice articolo del costruttore | S1DL RVG |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-S1DL RVG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1DL RVG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1DL RVG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1DL RVG-FT |
SS14LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H15LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H6LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSE3H45 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSE3U45 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSE3U60HRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSE3U60 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1JLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel