casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS2F M4G
codice articolo del costruttore | HS2F M4G |
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Numero di parte futuro | FT-HS2F M4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS2F M4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS2F M4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS2F M4G-FT |
SK320BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK32B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK33B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK33BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK34B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK35B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK510BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK510BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK515B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK515BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel