casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1BA-E3/61T
codice articolo del costruttore | S1BA-E3/61T |
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Numero di parte futuro | FT-S1BA-E3/61T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1BA-E3/61T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1BA-E3/61T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1BA-E3/61T-FT |
VS-10MQ060NTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10MQ100-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10MQ100HM3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10MQ100NTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15MQ040-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15MQ040HM3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1EMH01-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1EMH01HM3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1EMH02-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1EMH02HM3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel