casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S10KC V6G
codice articolo del costruttore | S10KC V6G |
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Numero di parte futuro | FT-S10KC V6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S10KC V6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S10KC V6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S10KC V6G-FT |
ES3D V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DV V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DV V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3F V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3F V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3G V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3GB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3J V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH2B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH2B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel