casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES3G V6G
codice articolo del costruttore | ES3G V6G |
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Numero di parte futuro | FT-ES3G V6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES3G V6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3G V6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES3G V6G-FT |
S1MBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2G M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2GHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2GHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2JHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2K R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2M M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2MHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3MBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5MBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel