casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S10JC V6G
codice articolo del costruttore | S10JC V6G |
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Numero di parte futuro | FT-S10JC V6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S10JC V6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S10JC V6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S10JC V6G-FT |
ES3C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3D V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DV V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DV V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3F V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3F V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3G V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3GB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3J V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH2B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel