casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S10JCHR7G
codice articolo del costruttore | S10JCHR7G |
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Numero di parte futuro | FT-S10JCHR7G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S10JCHR7G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S10JCHR7G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S10JCHR7G-FT |
TSD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSD2GH
Taiwan Semiconductor Corporation
TSD3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3D V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3G V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3GB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3GB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5F V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10GC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3M R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
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5SGXEB6R3F43C4N
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LFXP6E-4F256C
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LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel