casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S10GCHM6G
codice articolo del costruttore | S10GCHM6G |
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Numero di parte futuro | FT-S10GCHM6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
S10GCHM6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S10GCHM6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S10GCHM6G-FT |
S10JC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10JCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10KC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10KC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10MC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12GC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12JC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12KC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12KCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12MC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel