casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW3R0DB47R0J
codice articolo del costruttore | RW3R0DB47R0J |
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Numero di parte futuro | FT-RW3R0DB47R0J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW3R0DB47R0J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 47 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±20ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 6327 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Recessed |
Dimensione / Dimensione | 0.625" L x 0.273" W (15.88mm x 6.93mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.231" (5.87mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW3R0DB47R0J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW3R0DB47R0J-FT |
RW5S0FA4K70JE
Ohmite
RW5S0FA47R0JE
Ohmite
RW5S0FA1R00FE
Ohmite
RW5S0FA10R0JE
Ohmite
RW5S0FA10K0JE
Ohmite
RW5S0FA100RJE
Ohmite
RW3R5EAR200JE
Ohmite
RW3R5EAR010JE
Ohmite
RW3R5EAR500JE
Ohmite
RW3R5EA1R00JE
Ohmite
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCS30XL-4PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EP4S40G2F40I3N
Intel
LFE2-12E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel