casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW3R0DB100RJT
codice articolo del costruttore | RW3R0DB100RJT |
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Numero di parte futuro | FT-RW3R0DB100RJT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW3R0DB100RJT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±20ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 6327 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Recessed |
Dimensione / Dimensione | 0.625" L x 0.273" W (15.88mm x 6.93mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.231" (5.87mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW3R0DB100RJT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW3R0DB100RJT-FT |
RW5S0FA10R0JET
Ohmite
RW5S0FA1K00JET
Ohmite
RW5S0FA1R00FET
Ohmite
RW5S0FA20R0JET
Ohmite
RW5S0FA47R0JET
Ohmite
RW5S0FA4K70JET
Ohmite
RW5S0FAR100FET
Ohmite
RW5S0FA4K70JE
Ohmite
RW5S0FA47R0JE
Ohmite
RW5S0FA1R00FE
Ohmite
AGL015V5-QNG68I
Microsemi Corporation
A42MX36-BGG272I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FG484
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
10CL055YU484C6G
Intel
5SGXMB6R2F40C1N
Intel
XC5VLX220-2FF1760C
Xilinx Inc.
LFXP20C-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45E1SG
Intel
10AX027E1F29E1SG
Intel