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codice articolo del costruttore | RW2R0DAR100JET |
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Numero di parte futuro | FT-RW2R0DAR100JET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW2R0DAR100JET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±90ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 4524 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Recessed |
Dimensione / Dimensione | 0.455" L x 0.240" W (11.56mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.231" (5.87mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2R0DAR100JET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW2R0DAR100JET-FT |
RW3R0DB5R00JE
Ohmite
RW3R0DBR010JE
Ohmite
RW3R0DBR005JE
Ohmite
RW3R0DB47R0JE
Ohmite
RW3R0DBR050JE
Ohmite
RW3R0DB68R0JE
Ohmite
RW3R0DB100RJ
Ohmite
RW3R0DB100RJE
Ohmite
RW3R0DB150RJ
Ohmite
RW3R0DB150RJE
Ohmite
LCMXO640C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4008E-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
5SGXEB9R2H43I2LN
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A54SX32A-TQ100A
Microsemi Corporation
LFEC20E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EQC240-3N
Intel
EPF10K30EQI208-2N
Intel