casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW3R0DB100RJE
codice articolo del costruttore | RW3R0DB100RJE |
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Numero di parte futuro | FT-RW3R0DB100RJE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW3R0DB100RJE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±20ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 6327 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Recessed |
Dimensione / Dimensione | 0.625" L x 0.273" W (15.88mm x 6.93mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.231" (5.87mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW3R0DB100RJE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW3R0DB100RJE-FT |
TDH35P20R0J
Ohmite
TDH35P250RJ
Ohmite
TDH35P25R0J
Ohmite
TDH35P2R00J
Ohmite
TDH35P300RJ
Ohmite
TDH35P33R0J
Ohmite
TDH35P39R0J
Ohmite
TDH35P3K00J
Ohmite
TDH35P3R00J
Ohmite
TDH35P47R0J
Ohmite
XC4003E-4PQ100C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG256I
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-2FFG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG484
Microsemi Corporation
EP3C16U484C7N
Intel
5SGXMA7H2F35C2LN
Intel
LFE3-70EA-9FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-17EA-6LFN484E
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-7MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C2N
Intel