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codice articolo del costruttore | RW1S5CAR200JET |
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Numero di parte futuro | FT-RW1S5CAR200JET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S5CAR200JET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 200 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1.5W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±90ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 3916 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.394" L x 0.159" W (10.01mm x 4.04mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.164" (4.17mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S5CAR200JET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S5CAR200JET-FT |
RW2S0DA68R0JE
Ohmite
RW2R0DAR050FET
Ohmite
RW2S0DA150RJE
Ohmite
RW2S0DA10R0JE
Ohmite
RW2R0DA1R00JE
Ohmite
RW2S0DA15R0JE
Ohmite
RW2R0DAR100JE
Ohmite
RW2R0DAR050FE
Ohmite
RW2S0DA24R0JE
Ohmite
RW2S0DA47R0JE
Ohmite
XC3S200A-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4062XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FG484I
Xilinx Inc.
M2GL050S-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA4K2F40C3N
Intel
XC4006E-2PC84I
Xilinx Inc.
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780I6N
Intel