casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW2R0DAR050FE
codice articolo del costruttore | RW2R0DAR050FE |
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Numero di parte futuro | FT-RW2R0DAR050FE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW2R0DAR050FE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 50 mOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 4524 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Recessed |
Dimensione / Dimensione | 0.455" L x 0.240" W (11.56mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.231" (5.87mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2R0DAR050FE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW2R0DAR050FE-FT |
RW3R0DB150RJ
Ohmite
RW3R0DB150RJE
Ohmite
RW3R0DB150RJET
Ohmite
RW3R0DB150RJT
Ohmite
RW3R0DB15R0JET
Ohmite
RW3R0DB1R00J
Ohmite
RW3R0DB24R0J
Ohmite
RW3R0DB24R0JET
Ohmite
RW3R0DB47R0JET
Ohmite
RW3R0DB5R00J
Ohmite
A54SX16A-TQ144I
Microsemi Corporation
EP20K100ETC144-1
Intel
XC2VP2-5FGG456C
Xilinx Inc.
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEA5H2F35I2N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XC6SLX25T-2CSG324C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel