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codice articolo del costruttore | RW1S0BAR200JET |
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Numero di parte futuro | FT-RW1S0BAR200JET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BAR200JET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 200 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±90ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2512 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.141" (3.58mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR200JET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S0BAR200JET-FT |
RW1S5CAR200JET
Ohmite
RW1S5CAR500JE
Ohmite
RW1S5CAR500JET
Ohmite
RW1S5CAR005J
Ohmite
RW1S5CAR005JT
Ohmite
RW1S5CAR010J
Ohmite
RW1S5CAR010JT
Ohmite
RW1S5CAR015J
Ohmite
RW1S5CAR015JT
Ohmite
RW1S5CAR030J
Ohmite
A1020B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-4FGG900C
Xilinx Inc.
XCS40-3PQ208I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
AT40K40LV-3DQI
Microchip Technology
EP4CE30F23C7
Intel
XC5VLX110T-1FF1738C
Xilinx Inc.
XC4010L-5PC84C
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
EP3SE110F780C3
Intel