casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW1S0BAR030JT
codice articolo del costruttore | RW1S0BAR030JT |
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Numero di parte futuro | FT-RW1S0BAR030JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BAR030JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 30 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2512 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.141" (3.58mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR030JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S0BAR030JT-FT |
RW1S0CKR050FE
Ohmite
RW1S0CKR025FE
Ohmite
RW1S0CKR005DET
Ohmite
RW1S0CKR005FE
Ohmite
RW1S0CKR005FET
Ohmite
RW1S0CKR010FE
Ohmite
RW1S0CKR010FET
Ohmite
RW1S0CKR025FET
Ohmite
RW1S0CKR025DE
Ohmite
RW1S0BAR005JE
Ohmite
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCS30XL-4PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EP4S40G2F40I3N
Intel
LFE2-12E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel