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Rohm Semiconductor RD3S100CNTL1

Name: RD3S100CNTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3S100CNTL1
Price: 0.7056 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (469 reviews)

Numero parte MFG: RD3S100CNTL1

quantità disponibile: 23880 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.7056

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Rohm Semiconductor

Breve descrizione: - NCH 190V 10A POWER MOSFET

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RD3S100CNTL1.pdf

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RD3S100CNTL1 specificazioni

codice articolo del costruttore	RD3S100CNTL1
Numero di parte futuro	FT-RD3S100CNTL1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RD3S100CNTL1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	190V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	85W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RD3S100CNTL1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RD3S100CNTL1-FT

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