casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4408DY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4408DY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4408DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4408DY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4408DY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4408DY-T1-GE3-FT |
SI4431CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4463BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4850EY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4431BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9433BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
CWDM3011N TR13
Central Semiconductor Corp
SI4100DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4447ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4186DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4447DY-T1-E3
Vishay Siliconix
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel