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Rohm Semiconductor RSS090P03FU7TB

Numero parte MFG
RSS090P03FU7TB
quantità disponibile
68320 pezzi
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-RSS090P03FU7TB
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RSS090P03FU7TB Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RSS090P03FU7TB Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RSS090P03FU7TB-FT

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