casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RSH065N03TB1
codice articolo del costruttore | RSH065N03TB1 |
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Numero di parte futuro | FT-RSH065N03TB1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RSH065N03TB1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSH065N03TB1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSH065N03TB1-FT |
SI6466ADQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6467BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6467BDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6469DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6473DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6473DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMN2011UTS-13
Diodes Incorporated
TPS1100PWR
Texas Instruments
DMN3020UTS-13
Diodes Incorporated
TPS1100PW
Texas Instruments
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel