casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI6466ADQ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI6466ADQ-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI6466ADQ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI6466ADQ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 8.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.05W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6466ADQ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI6466ADQ-T1-GE3-FT |
SPB80N06S2-08
Infineon Technologies
SPB80N06S2-09
Infineon Technologies
SPB80N06S2-H5
Infineon Technologies
SPB80N06S2L-05
Infineon Technologies
SPB80N06S2L-06
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SPB80N06S2L-07
Infineon Technologies
SPB80N06S2L-09
Infineon Technologies
SPB80N06S2L-11
Infineon Technologies
SPB80N06S2L-H5
Infineon Technologies
SPB80N08S2-07
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A3PN015-1QNG68I
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A1415A-PQ100I
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XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
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