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codice articolo del costruttore | RSBDC3470AA10J |
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Numero di parte futuro | FT-RSBDC3470AA10J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RSB |
RSBDC3470AA10J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Capacità | 0.47µF |
Tolleranza | ±5% |
Tensione nominale - CA. | 40V |
Tensione nominale - CC | 63V |
Materiale dielettrico | Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Dimensione / Dimensione | 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.299" (7.60mm) |
fine | PC Pins |
Lead Spacing | 0.197" (5.00mm) |
applicazioni | General Purpose |
Giudizi | - |
Caratteristiche | High Temperature |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSBDC3470AA10J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSBDC3470AA10J-FT |
QAP2G155KRP
Nichicon
QAP2G105KRP
Nichicon
QAP2E685KRP
Nichicon
QAP2E684KRP
Nichicon
QAP2E475KRP
Nichicon
QAP2E474KRP
Nichicon
QAP2E335KRP
Nichicon
QAP2E225KRP
Nichicon
QAP2E155KRP
Nichicon
QAP2E106KRP
Nichicon
XCKU5P-1FFVB676I
Xilinx Inc.
XCV200-6FG456C
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG484
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UMG64ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200FC484-1X
Intel
5SGXMA5K3F35C2LN
Intel
AGLP030V5-CSG289I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CSG281I
Microsemi Corporation
10AX115U1F45E1SG
Intel
EP1S30B956C7
Intel