casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS3KHM6G
codice articolo del costruttore | RS3KHM6G |
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Numero di parte futuro | FT-RS3KHM6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RS3KHM6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 500ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS3KHM6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS3KHM6G-FT |
RS3J V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10GC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10JC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10JC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10JCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10KC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10KC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10MC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12GC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12JC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel