casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1DVHR3G
codice articolo del costruttore | ES1DVHR3G |
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Numero di parte futuro | FT-ES1DVHR3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES1DVHR3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 15ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1DVHR3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1DVHR3G-FT |
SK320A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG2JAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1K R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA3U45 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA3U60 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LG M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LG R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel