casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS1KL RTG
codice articolo del costruttore | RS1KL RTG |
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Numero di parte futuro | FT-RS1KL RTG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS1KL RTG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 800mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 800mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 500ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1KL RTG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1KL RTG-FT |
HS1JL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1JL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1JL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1JL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1KL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1KL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1KL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1KL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1KL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1KL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel