casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS1JL RHG
codice articolo del costruttore | HS1JL RHG |
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Numero di parte futuro | FT-HS1JL RHG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS1JL RHG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1JL RHG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS1JL RHG-FT |
ES1DLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.