casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS1GHM2G
codice articolo del costruttore | RS1GHM2G |
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Numero di parte futuro | FT-RS1GHM2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RS1GHM2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1GHM2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1GHM2G-FT |
SS14HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL12 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL14 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1DHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel