casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS16HM2G
codice articolo del costruttore | SS16HM2G |
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Numero di parte futuro | FT-SS16HM2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS16HM2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS16HM2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS16HM2G-FT |
ES2CA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2DAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2FA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2FAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1K R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2BA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2KA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2DA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2GA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel