casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS1D M2G
codice articolo del costruttore | RS1D M2G |
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Numero di parte futuro | FT-RS1D M2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS1D M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1D M2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1D M2G-FT |
SK39AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.