casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS1DLHRHG
codice articolo del costruttore | RS1DLHRHG |
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Numero di parte futuro | FT-RS1DLHRHG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RS1DLHRHG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 800mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 800mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1DLHRHG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1DLHRHG-FT |
HS1AL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel