casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS1AL RHG
codice articolo del costruttore | HS1AL RHG |
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Numero di parte futuro | FT-HS1AL RHG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS1AL RHG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1AL RHG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS1AL RHG-FT |
ES1ALHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel