casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS1AL RHG
codice articolo del costruttore | HS1AL RHG |
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Numero di parte futuro | FT-HS1AL RHG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS1AL RHG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1AL RHG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS1AL RHG-FT |
ES1ALHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel