casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RR03J1R0TB
codice articolo del costruttore | RR03J1R0TB |
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Numero di parte futuro | FT-RR03J1R0TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RR, Neohm |
RR03J1R0TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 235°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.197" Dia x 0.591" L (5.00mm x 15.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR03J1R0TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RR03J1R0TB-FT |
ROX2SG100R
TE Connectivity Passive Product
CCR2100RKB
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CCR100RKT
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CBT25J10R
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ROX3SJ10R
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ROX2SJ10R
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ROX1SJ10R
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AT6005A-4AI
Microchip Technology
XCV200-4FG256I
Xilinx Inc.
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35I4N
Intel