casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / CBT50J10R
codice articolo del costruttore | CBT50J10R |
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Numero di parte futuro | FT-CBT50J10R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CBT, Neohm |
CBT50J10R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Carbon Composition |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | -600/ +200ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.142" Dia x 0.374" L (3.60mm x 9.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBT50J10R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBT50J10R-FT |
RR03J130RTB
TE Connectivity Passive Product
RR01J130RTB
TE Connectivity Passive Product
RR01J13RTB
TE Connectivity Passive Product
RR02J13RTB
TE Connectivity Passive Product
RR03J13RTB
TE Connectivity Passive Product
ROX3SJ12K
TE Connectivity Passive Product
ROX1SJ12K
TE Connectivity Passive Product
ROX2SJ12K
TE Connectivity Passive Product
RR02J12KTB
TE Connectivity Passive Product
RR01J12KTB
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C3N
Intel
10M16SCE144A7G
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG144I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F35E3SG
Intel
EP2A70F1020C7
Intel