casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RR01JR27TB
codice articolo del costruttore | RR01JR27TB |
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Numero di parte futuro | FT-RR01JR27TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RR, Neohm |
RR01JR27TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 270 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 235°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.102" Dia x 0.268" L (2.60mm x 6.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR01JR27TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RR01JR27TB-FT |
RR02J1K6TB
TE Connectivity Passive Product
RR03J1K6TB
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RR02J1R6TB
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CBT25J1M5
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CBT25J1K5
TE Connectivity Passive Product
CBT50J1K5
TE Connectivity Passive Product
ROX1SJ1K5
TE Connectivity Passive Product
A3P125-TQ144
Microsemi Corporation
XC2VP2-6FG256I
Xilinx Inc.
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA7K2F40I3
Intel
10AX022C4U19I3SG
Intel
XC4VFX60-11FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC3D3F31I3N
Intel
5AGXMA5G6F35C6N
Intel