casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RR01J9K1TB
codice articolo del costruttore | RR01J9K1TB |
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Numero di parte futuro | FT-RR01J9K1TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RR, Neohm |
RR01J9K1TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 9.1 kOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 235°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.102" Dia x 0.268" L (2.60mm x 6.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR01J9K1TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RR01J9K1TB-FT |
C3A2K7JT
TE Connectivity Passive Product
C3A2R0JT
TE Connectivity Passive Product
C3A2R2JT
TE Connectivity Passive Product
C3A2R4JT
TE Connectivity Passive Product
C3A2R7JT
TE Connectivity Passive Product
C3A300RJT
TE Connectivity Passive Product
C3A30RJT
TE Connectivity Passive Product
C3A330RJT
TE Connectivity Passive Product
C3A33RJT
TE Connectivity Passive Product
C3A360RJT
TE Connectivity Passive Product
AGLN125V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
APA075-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5SGXMA9N2F45C2N
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
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XC6VLX240T-1FF784I
Xilinx Inc.
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX066H2F34E2SG
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Intel