casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / C3A2R2JT
codice articolo del costruttore | C3A2R2JT |
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Numero di parte futuro | FT-C3A2R2JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | C, CGS |
C3A2R2JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 2.2 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±200ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.224" Dia x 0.512" L (5.70mm x 13.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3A2R2JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | C3A2R2JT-FT |
C727RJT
TE Connectivity Passive Product
C7295RFTR
TE Connectivity Passive Product
C72K0JT
TE Connectivity Passive Product
C72K2JT
TE Connectivity Passive Product
C72K7JT
TE Connectivity Passive Product
C72R0JT
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C72R2JT
TE Connectivity Passive Product
C72R7JT
TE Connectivity Passive Product
C7300RJT
TE Connectivity Passive Product
C7307RGT
TE Connectivity Passive Product
LCMXO640E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XA7A75T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQG176
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C3N
Intel
A42MX09-2PQ160I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50BC356-4
Intel
EP1C12F324C7
Intel
EPF10K50SQC240-3
Intel