casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RR01J8R2TB
codice articolo del costruttore | RR01J8R2TB |
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Numero di parte futuro | FT-RR01J8R2TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RR, Neohm |
RR01J8R2TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 8.2 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 235°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.102" Dia x 0.268" L (2.60mm x 6.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR01J8R2TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RR01J8R2TB-FT |
C3A82RGT
TE Connectivity Passive Product
C3A82RJT
TE Connectivity Passive Product
C3A8K2JT
TE Connectivity Passive Product
C3A8R2JT
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C3A910RJT
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C3A91RJT
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C3A9K1JT
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C3AR10JT
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C3AR11JT
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A1010B-2PQG100I
Microsemi Corporation
XC2VP2-6FG456I
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S6-1CPGA196I
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U1F45I1SG
Intel
EP3C40F780C8
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EP1C20F324C7N
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