casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / C3A8R2JT
codice articolo del costruttore | C3A8R2JT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-C3A8R2JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | C, CGS |
C3A8R2JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 8.2 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±200ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.224" Dia x 0.512" L (5.70mm x 13.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3A8R2JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | C3A8R2JT-FT |
C7R47JT
TE Connectivity Passive Product
C7R50JT
TE Connectivity Passive Product
C7R51JT
TE Connectivity Passive Product
C7R56JT
TE Connectivity Passive Product
C7R68JT
TE Connectivity Passive Product
C7R82JT
TE Connectivity Passive Product
C3A100RJT
TE Connectivity Passive Product
C3A10KJT
TE Connectivity Passive Product
C3A10RJT
TE Connectivity Passive Product
C3A110RJT
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2280E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-1
Intel
5SGXMA5K2F40I3N
Intel
EP3SE260H780C4
Intel
5SGXMA9N1F45I2N
Intel
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF19I7N
Intel
EP1C12F324C6N
Intel