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Rohm Semiconductor RQ6C050UNTR
- Numero parte MFG
- RQ6C050UNTR
- quantità disponibile
- 46070 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.12152
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Rohm Semiconductor
- Breve descrizione
- - MOSFET N-CH 20V 5A TSMT
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- RQ6C050UNTR.pdf
RQ6C050UNTR specificazioni
| codice articolo del costruttore | RQ6C050UNTR |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-RQ6C050UNTR |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| RQ6C050UNTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT6 (SC-95) |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RQ6C050UNTR Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | RQ6C050UNTR-FT |
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