casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RSJ550N10TL
codice articolo del costruttore | RSJ550N10TL |
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Numero di parte futuro | FT-RSJ550N10TL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RSJ550N10TL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.8 mOhm @ 27.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 143nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LPTS |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSJ550N10TL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSJ550N10TL-FT |
RU1C002ZPTCL
Rohm Semiconductor
RU1C001ZPTL
Rohm Semiconductor
RU1C002UNTCL
Rohm Semiconductor
RD3L140SPTL1
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RD3H045SPFRATL
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RD3H160SPFRATL
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RD3P175SNFRATL
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XC3S200A-4FT256I
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XC3S2000-4FG456C
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A42MX09-VQ100I
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AGL030V5-VQ100I
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Intel
XC6SLX4-2CSG225I
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AGL600V2-CSG281
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LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel