casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RN73C1E191RBTDF
codice articolo del costruttore | RN73C1E191RBTDF |
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Numero di parte futuro | FT-RN73C1E191RBTDF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RN73, Holsworthy |
RN73C1E191RBTDF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 191 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.063W, 1/16W |
Composizione | Thin Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±10ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | 0402 (1005 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0402 |
Dimensione / Dimensione | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.014" (0.35mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN73C1E191RBTDF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN73C1E191RBTDF-FT |
RLP73N1ER43JTD
TE Connectivity Passive Product
RLP73N1ER47FTDF
TE Connectivity Passive Product
RLP73N1ER47JTD
TE Connectivity Passive Product
RH73H1E22MJTN
TE Connectivity Passive Product
RH73X1E10GKTN
TE Connectivity Passive Product
RH73U1E10MJTN
TE Connectivity Passive Product
RN73C1E100RBTG
TE Connectivity Passive Product
RN73C1E102RBTDF
TE Connectivity Passive Product
RN73C1E102RBTG
TE Connectivity Passive Product
RN73C1E105RBTDF
TE Connectivity Passive Product
LCMXO1200C-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP2-6FGG256I
Xilinx Inc.
XC2S15-5VQ100C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQ240M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F35C2LN
Intel
AX500-1FG676
Microsemi Corporation
M2GL090T-1FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQG100
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-3FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H2F35C2LN
Intel