casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN4909(T5L,F,T)
codice articolo del costruttore | RN4909(T5L,F,T) |
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Numero di parte futuro | FT-RN4909(T5L,F,T) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN4909(T5L,F,T) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | US6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4909(T5L,F,T) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN4909(T5L,F,T)-FT |
RN2968FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2969FE(TE85L,F)
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RN2970FE(TE85L,F)
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RN2971FE(TE85L,F)
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RN4902FE(TE85L,F)
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RN1701JE(TE85L,F)
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RN1702JE(TE85L,F)
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RN1704JE(TE85L,F)
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RN2709JE(TE85L,F)
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RN2711JE(TE85L,F)
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XCKU5P-3FFVA676E
Xilinx Inc.
EP2C50U484C7N
Intel
EP3C55F484C8
Intel
5SGXMA4K1F35C1N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-2FFG1156E
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I3N
Intel
EPF6016AFC100-2
Intel