casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / IMH5AT108
codice articolo del costruttore | IMH5AT108 |
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Numero di parte futuro | FT-IMH5AT108 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IMH5AT108 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMH5AT108 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMH5AT108-FT |
XN04A8800L
Panasonic Electronic Components
XN0621100L
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XN0621300L
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XN0621500L
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XN0621600L
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XN0F25600L
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XN0F26100L
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IMD10AMT1G
ON Semiconductor
PIMC31,115
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PIMD3,115
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