casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN1965(TE85L,F)
codice articolo del costruttore | RN1965(TE85L,F) |
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Numero di parte futuro | FT-RN1965(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1965(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | US6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1965(TE85L,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN1965(TE85L,F)-FT |
PIMC31,115
Nexperia USA Inc.
PIMD3,115
Nexperia USA Inc.
IMH10AT110
Rohm Semiconductor
IMB9AT110
Rohm Semiconductor
IMH11AT110
Rohm Semiconductor
IMH9AT110
Rohm Semiconductor
PIMN31,115
Nexperia USA Inc.
IMB10AT110
Rohm Semiconductor
IMB11AT110
Rohm Semiconductor
IMD10AT108
Rohm Semiconductor