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Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV,L3F

Numero parte MFG
RN2107MFV,L3F
quantità disponibile
81320 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
- TRANS PREBIAS NPN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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RN2107MFV,L3F specificazioni

codice articolo del costruttore RN2107MFV,L3F
Numero di parte futuro FT-RN2107MFV,L3F
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RN2107MFV,L3F Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 150mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore VESM
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN2107MFV,L3F Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RN2107MFV,L3F-FT

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