casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN1969FE(TE85L,F)
codice articolo del costruttore | RN1969FE(TE85L,F) |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RN1969FE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1969FE(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1969FE(TE85L,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN1969FE(TE85L,F)-FT |
RN4601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4603(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4604(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4607(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4608(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4609(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4602TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
IMB2AT110
Rohm Semiconductor
IMB3AT110
Rohm Semiconductor
IMD2AT108
Rohm Semiconductor
EP20K100ETC144-1
Intel
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
M1AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C5F256C7
Intel
XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
AGL400V5-CSG196I
Microsemi Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K300ERC208-2X
Intel